| 1. Identificação | ||||
| Tipo de Referência | Artigo em Evento (Conference Proceedings) | |||
| Site | mtc-m21b.sid.inpe.br | |||
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S | |||
| Identificador | 8JMKD3MGP3W34P/3M9LML2 | |||
| Repositório | sid.inpe.br/mtc-m21b/2016/08.16.18.54 | |||
| Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m21b/2016/08.16.18.54.01 | |||
| Última Atualização dos Metadados | 2018:06.04.02.41.01 (UTC) administrator | |||
| Chave Secundária | INPE--PRE/ | |||
| Chave de Citação | GalvãoVPMGCDM:2016:GrEpGr | |||
| Título | Grow of epitaxial graphene on SiC thin film using CO2 laser beam  | |||
| Ano | 2016 | |||
| Data de Acesso | 11 maio 2024 | |||
| Tipo Secundário | PRE CI | |||
| 2. Contextualização | ||||
| Autor | 1 Galvão, Nierlly K. A. M. 2 Vasconcelos, Getúlio 3 Pessoa, Rodrigo Sávio 4 Machado, João Paulo Barros 5 Guerino, Marciel 6 Camus, Julien 7 Djouadi, Mohamed Abdou 8 Maciel, H. S. | |||
| Identificador de Curriculo | 1 2 3 4 8JMKD3MGP5W/3C9JHER | |||
| Grupo | 1 2 3 4 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR | |||
| Afiliação | 1 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 2 Instituto de Estudos Avançados (IEAv) 3 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 5 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 6 Institut des Matériaux Jean Rouxel IMN 7 Institut des Matériaux Jean Rouxel IMN 8 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) | |||
| Endereço de e-Mail do Autor | 1 nierlly@gmail.com 2 3 4 joao.machado@inpe.br | |||
| Nome do Evento | International Conference on Advanced Nanomaterials, 7 | |||
| Localização do Evento | Aveiro, Portugal | |||
| Data | 25-27 July | |||
| Histórico (UTC) | 2016-08-16 18:55:39 :: simone -> administrator :: 2016 2018-06-04 02:41:01 :: administrator -> simone :: 2016 | |||
| 3. Conteúdo e estrutura | ||||
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz | |||
| Estágio do Conteúdo | concluido | |||
| Transferível | 1 | |||
| Tipo do Conteúdo | External Contribution | |||
| Resumo | When SiC is heated under specific annealing conditions, the layers of SiC crystals are decomposed. The Si sublimation occurs and the remaining carbon atoms form the epitaxial graphene layer1 . Usually this process takes place using induction furnaces at vacuum or at atmospheric pressure with an inert gas flow. The kinetics of formation, the structure and properties of graphene are influenced by the process parameters and also by the orientation and terminated face of the SiC wafer substrate1,2. Recently, the use of CO2 laser as a source of heating in graphene formation from single crystal of SiC and SiC particles have been reported2,3 . The use of this technique is still new and technical feasibility of grapheme formation using SiC thin films, to the best of our knowledge, were not yet reported. In this work, the viability of graphene growth by thermal decomposition of SiC thin films using CO2 laser was investigated. The SiC thin films were grown by plasma deposition technique using high-power impulse magnetron sputtering (HiPMS). Unlike what happens with graphene grown on single crystal SiC, the graphene was grown on the SiC thin film with undefined (SiC) facetermination. The obtained films were characterized thanks to chemical, structural and electrical analysis using the mapping RAMAN, atomic force microscopy (AFM), and 4 points probe, respectively. | |||
| Área | FISMAT | |||
| Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Grow of epitaxial... | |||
| Conteúdo da Pasta doc | não têm arquivos | |||
| Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos | |||
| Conteúdo da Pasta agreement |
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| 4. Condições de acesso e uso | ||||
| Idioma | en | |||
| Grupo de Usuários | simone | |||
| Grupo de Leitores | administrator simone | |||
| Visibilidade | shown | |||
| Permissão de Leitura | allow from all | |||
| Permissão de Atualização | não transferida | |||
| 5. Fontes relacionadas | ||||
| Repositório Espelho | urlib.net/www/2011/03.29.20.55 | |||
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 | |||
| Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20 | |||
| 6. Notas | ||||
| Campos Vazios | archivingpolicy archivist booktitle callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress edition editor format isbn issn keywords label lineage mark nextedition notes numberoffiles numberofvolumes orcid organization pages parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project publisher publisheraddress rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark serieseditor session shorttitle size sponsor subject targetfile tertiarymark tertiarytype type url versiontype volume | |||
| 7. Controle da descrição | ||||
| e-Mail (login) | simone | |||
| atualizar | ||||